反饋內容
WebJul 14, 2022 · 在d型和e型的HEMT中,較高電壓的器件在漏極和柵極之間有較大的分離。. D型GaN器件通常是導通的,電流在漏極和源極之間流動,而柵極上沒有施加電位。. 當 …

全球領先的加密貨幣交易平台

獲取迎新禮