gaa製程是什麼?

GAA製程技術是晶片微影技術的一項重要里程碑，隨著美國和世界其他地方前所未有的晶圓廠擴建潮，該技術可能變得更加重要。 先進半導體製造領域的三家大廠——台積電、三星和英特爾，目前都已經有了完整的GAA製程路線圖。

gaa晶片是什麼?

當1986年首次展示GAA技術時，這種在實驗室中建構GAA電晶體，比起大規模製造基於GAA的晶片要容易得多了。 三星電子 (Samsung Electronics)於2022年夏以3nm處理器節點製造首款支援GAA的晶片，並於2000年代初期開始研究GAA電晶體。 2017年，這家韓國晶片製造商開始試產GAA設計，並於2019年宣佈製程技術取得突破。

3nm gaa是什麼?

大致上只能籠統地說，3nm GAA與4nm FinFET電晶體相比，在相同的有效通道寬度 (Weff，fin/sheet的寬度 × fin/sheet的個數)下，3nm GAA能夠達成更高的頻率；與此同時達成更低的功耗。 GAA電晶體sheet這種可寬、可窄的特性，決定了在邏輯電路之外，可利用更小寬度sheet的電晶體，實現高密度SRAM儲存，達成功耗和面積的降低；對於高性能SRAM的位元格 (bit cell)而言，則可使用更寬的sheet。