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gaa製程是什麼?
GAA製程技術是晶片微影技術的一項重要里程碑,隨著美國和世界其他地方前所未有的晶圓廠擴建潮,該技術可能變得更加重要。 先進半導體製造領域的三家大廠——台積電、三星和英特爾,目前都已經有了完整的GAA製程路線圖。gaa晶片是什麼?
當1986年首次展示GAA技術時,這種在實驗室中建構GAA電晶體,比起大規模製造基於GAA的晶片要容易得多了。 三星電子 (Samsung Electronics)於2022年夏以3nm處理器節點製造首款支援GAA的晶片,並於2000年代初期開始研究GAA電晶體。 2017年,這家韓國晶片製造商開始試產GAA設計,並於2019年宣佈製程技術取得突破。3nm gaa是什麼?
大致上只能籠統地說,3nm GAA與4nm FinFET電晶體相比,在相同的有效通道寬度 (Weff,fin/sheet的寬度 × fin/sheet的個數)下,3nm GAA能夠達成更高的頻率;與此同時達成更低的功耗。 GAA電晶體sheet這種可寬、可窄的特性,決定了在邏輯電路之外,可利用更小寬度sheet的電晶體,實現高密度SRAM儲存,達成功耗和面積的降低;對於高性能SRAM的位元格 (bit cell)而言,則可使用更寬的sheet。