什麼是igbt?

IGBT歸類在功率半導體元件的電晶體領域。 功率半導體元件（電晶體領域）除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導體開關。 從各自可因應的開關速度來看，中頻用BIPOLAR，高頻用MOSFET。 IGBT是輸入端為MOSFET構造、輸出端為BIPOLAR構造的元件，採用複合式構造，除了為使用電子和電洞這二種載體的雙極性元件外，也是同時具備低飽和電壓（相當於功率MOSFET的低導通電阻）、較快速切換特性的電晶體。

如何判斷igbt好壞?

注意判斷IGBT 好壞時，一定要將萬用　表撥在R×10KΩ擋，因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT 導通，而無法判斷IGBT 的好壞。 此方法同樣也可以用於檢測功率場效應電晶體 (P-MOSFET)的好壞。

IGBT的開關作用是什麼?

IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP (原來為NPN)電晶體提供基極電流，使IGBT導通。 反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。 IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。 當MOSFET的溝道形成後，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調製，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。 IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。 IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變數時，漏極電流與柵極電壓之間的關係曲線。 輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。