什麼是igBT的工作原理?

・當相對於IGBT射極向IGBT閘極外加正電壓時，IGBT導通，流過集極電流。 ・如等效電路圖所示，透過Nch MOSFET導通、I B 流過PNP電晶體，使PNP電晶體導通，IGBT的集極和射極之間導通。 下面用下列等效電路和截面結構圖來說明IGBT的工作原理。 當向射極外加正的集極電壓V CE ，同樣向射極外加正的閘極電壓V GE 時，IGBT導通，集極和射極之間導通，流過集極電流I C 。 將這個動作對應於等效電路時，即當外加正V GE 時，Nch MOSFET導通，這會使基極電流I B 流過PNP電晶體，最終，PNP電晶體導通，從而使I C 從IGBT的集極流向射極。 斷面結構圖中顯示了內部電子和電洞（Hole）的運動情況。

什麼是igBT半導體結構?

為了便於理解IGBT半導體的結構，我們首先來回顧一下電路圖符號、簡單的等效電路以及IGBT的基本工作。 IGBT有閘極、集極、射極三個引腳，可以認為，閘極與MOSFET的閘極相同，集極和射極與雙極電晶體相同。 在N通道IGBT的情況下，IGBT與MOSFET一樣，透過電壓控制元件相對於射極在閘極外加正閘極電壓VGE時，集極-射極之間導通，流過集極電流IC。 下面是表示IGBT半導體結構的示意圖（斷面圖）和等效電路圖。 為便於理解而進行了簡化。 藍色箭頭表示集極電流IC的流動情況。 我們與旁邊的等效電路圖比較來看。 如圖所示，在Nch MOSFET的汲極側形成了P+集極層，從集極到射極是P型-N型-P型-N型排列的結構。

電子從IGBT射極向IGBT集極的行動是什麼?

因此，從IGBT的射極供給的電子沿N+層⇒通道⇒ N-漂移層 ⇒ P+集極層的方向行動。 而空穴（電洞）⊕則由P+集極層提供給N-漂移層。 該層之所以被稱為“漂移層”，是因為電子和空穴兩者的載流子都會行動。 也就是說，電子從IGBT射極向IGBT集極的行動意味著電流（I C ）從IGBT集極流向IGBT射極。

功率MOSFET和IGBT有什麼區別?

IGBT的結構與功率MOSFET十分相似，主要差異是IGBT增加了P+基片和一個N+緩衝層（NPT-非穿通-IGBT技術沒有增加這個部分），如等效電路圖所示，其中一個MOSFET驅動兩個雙極器件。 基片的應用在管體的P+和N+區之間創建了一個J1結，當正柵偏壓使閘極下面反演P基區時，一個N通道形成，同時出現一個電子流，並完全按照功 MOSFET的方式產生電流。