什麼是 MOSFET?

MOS的英文全稱就是MOSFET,其中後綴FET是場效應電晶體 (Field Effect Transistor縮寫，FET 是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件。 FET是具有源極（S），柵極（G），漏極（D）和主體（B）端子的四端子設備。 FET通過向柵極施加電壓來控制電流，從而改變漏極和源極之間的電導率。 由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。 也就是說，FET在其操作中使用電子或空穴作為電荷載流子，但不能同時使用兩者。 ... 場效應管主要有兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 ... MOSFET的中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應電晶體，由於這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。 ...

MOSFET的次臨限傳導有什麼好處?

不過反過來說，也有些電路設計會因為MOSFET的次臨限傳導得到好處，例如需要較高的轉導/電流轉換比（transconductance-to-current ratio）的電路里，利用次臨限傳導的MOSFET來達成目的的設計也頗為常見。 晶片內部連線導線的 寄生電容 效應 傳統上，CMOS邏輯門的切換速度與其元件的柵極電容有關。 但是當柵極電容隨著MOSFET尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連線這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯門的切換速度。 如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。 晶片發熱量增加 當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。

MOSFET的電路符號有哪些變化?

常用於MOSFET的電路符號有很多種變化，最常見的設計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，如下圖所示。 有時也會將代表通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MOSFET）或是耗盡型MOSFET（depletion mode MOSFET）另外又分為NMOSFET和PMOSFET兩種類型，電路符號如圖所示（箭頭的方向不同）。 由於積體電路 晶片 上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一 基極 （Bulk或是Body）。 MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。