什麼是 MOSFET?

MOS的英文全稱就是MOSFET,其中後綴FET是場效應電晶體 (Field Effect Transistor縮寫，FET 是利用控制輸入迴路的電場效應來控制輸出迴路電流的一種半導體器件。 FET是具有源極（S），柵極（G），漏極（D）和主體（B）端子的四端子設備。 FET通過向柵極施加電壓來控制電流，從而改變漏極和源極之間的電導率。 由於它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型電晶體。 也就是說，FET在其操作中使用電子或空穴作為電荷載流子，但不能同時使用兩者。 ... 場效應管主要有兩種類型，分別是結型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 ... MOSFET的中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應電晶體，由於這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效應管。 ...

MOSFET的次臨限傳導有什麼好處?

不過反過來說，也有些電路設計會因為MOSFET的次臨限傳導得到好處，例如需要較高的轉導/電流轉換比（transconductance-to-current ratio）的電路里，利用次臨限傳導的MOSFET來達成目的的設計也頗為常見。 晶片內部連線導線的 寄生電容 效應 傳統上，CMOS邏輯門的切換速度與其元件的柵極電容有關。 但是當柵極電容隨著MOSFET尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連線這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯門的切換速度。 如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。 晶片發熱量增加 當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。

什麼材料可以製造MOSFET元件?

今日半導體元件的材料通常以矽（silicon）為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如IBM使用矽與鍺（germanium）的混合物所發展的矽鍺製程（silicon-germanium process,SiGe process）。 而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如 砷化鎵 （gallium arsenide,GaAs），因為無法在表面長出 品質 夠好的氧化層，所以無法用來製造MOSFET元件。 當一個夠大的電位差施於MOSFET的 柵極 與源極（source）之間時， 電場 會在氧化層下方的半導體表面形成感應 電荷 ，而這時所謂的“反型層”（inversion channel）就會形成。