功率MOSFET的缺點有哪些?

功率MOSFET的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。 互補式金屬氧化物半導體 （CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在 集成電路 上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。 功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。 功率MOSFET常用在 ，是源自信號級的MOSFET，自1970年代開始有商品販售 [2] 功率MOSFET是最常見的 功率半導體 power semiconductor device ，原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度 [3] 、容易實施的並聯技術 [3] [4] 、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修 [4] 。 在低壓（200V以下）的應用中，功率MOSFET是最常見的功率半導體。

什麼是n溝道MOSFET?

N溝道MOSFET具有位於源極和漏極端子之間的N溝道區域。 它是一個四端子設備，其端子分別為柵極，漏極，源極，主體。 在這種場效應電晶體中，漏極和源極是重摻雜的n +區域，襯底或主體是P型的。

什麼是moset?

在圖1中可以看到，MOSET的工作原理只要源極連接到N + 區，但源極的金屬化連接了N + 和P + 的注入部份。 若有這樣的情形出現，會形成在N摻雜源極以及汲極之間的浮動的P區，可以等效為NPN電晶體，有一個未連接的基極。 在特定情形下（例如汲極有大電流、汲極到源極的電壓有數伏特的大小），會觸發雜散NPN電晶體，使得MOSFET不可控。 P注入層到源極金屬化部份的連接會使雜散電晶體的基極對射極短路（MOSFET的源極），因此不會有了寄生鎖存效應。 不過這解法在MOSFET的汲極（陰極）和源極（陽極）之間產生了二極體（本體二極體，body doide），使其只能單一方向阻隔電流。 在 H橋 或半橋的電路組態中，若是電感性負載，可以把本體二極體用來作為 續流二極體 。

為什麼MOSFET開啟時導通會變慢?

在要開始快速開啟時，因為源極雜散電感，晶元上的源極電壓可以快速上昇，閘極電壓也可以快速上昇，而內部的V GS 會維持較低的值一段時間，因此會使切換時的導通變慢。 在要開始快速關斷時，源極電感上的電流快速減少，上面的電壓會變負值（相對包裝外的導線），因此讓內部的V GS 增加，讓MOSFET維持導通，因此切換時的關斷也會變慢。